Üç büyük yarıiletken üreticisinden Samsung ile Intel – Micron ortaklığının firması ‘IMFT’ yeni üretim süreciyle üretilmiş bellek yongalarını ürettiklerini duyurdu. Nanometre savaşlarının son sürat devam etmesi teknolojinin gelişmesine büyük katkı sağlıyor.
İlk olarak Samsung’dan başlayalım, firma yeni 30nm teknolojili DDR3 DRAM yongalarını duyurdu. Şimdilik 2GB kapasiteyle üretilebilecek yeni yongalar DDR3 bellek kullanan herhangi bir sistemde kullanılabilecek. Yeni üretim süreci sayesinde bir önceki üretim sürecinden %30’a varan oranda daha az güç tüketimi ve iki kata artan verimlilik değeri karşımıza çıkıyor. Samsung bu yongaların hacimli üretimine yılın ikinci yarısında başlayacak.
Intel ve Micron ortaklıklığının meyvesi IMFT fabrikası ise NAND tipi yongalarda 25nm’’lik örnekleri ürettiğini duyurdu. 2008 yılında 40nm üretim sürecine ulaşan firmanın yeni teknolojili yongalarının ilk örneği 8 GB kapasiteli MLC tipi bir bellek olacak. 8GB kapasiteli ve 167mm2 boyutlarındaki bu yonga aynı boyutlardaki 34nm’lik bir yongaya göre 2 kat daha yoğun. Sonuç olarak bu yongaları kullanan ilk ürünlerin (SSD’ler başta olmak üzere hertürlü flaş tabanlı depolama aygıtı) 2010 yılın sonunda son kullanıcıyla buluşması bekleniyor.
Benzer yazılar:
